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絕緣基底上可控制備單層石墨烯薄膜研究取得進展

近日,研究人員采用了一種新的前驅體調控策略成功地抑制了石墨烯的二次成核,從而在絕緣基底上直接生長出大面積高質量的均勻單層石墨烯薄膜。通過對石墨烯生長機理的研究得知,二氧化硅襯底表面的羥基化弱化了石墨烯邊緣與襯底之間的結合,進而實現了初級成核主導的石墨烯生長。

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